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                                ZXTN26020DMFTA高增益低Vcesat NPN晶體管

                                時間:2019-3-12, 來源:互聯網, 文章類別:元器件知識庫

                                特征

                                高增益低Vcesat NPN晶體管

                                非常低的Rcesat

                                高ICM能力

                                1.5A連續電流額定值

                                超小型表面貼裝封裝

                                符合AEC-Q101高可靠性標準

                                不含鉛,鹵素和銻,符合RoHS標準(注1)

                                “綠色”設備(注2)

                                ESD額定值:400V-MM,8KV-HBM

                                機械數據

                                案例:DFN1411-3

                                &#8226;表殼材質:模壓塑料,“綠色”成型復合物。

                                UL可燃性分類等級94V-0

                                •濕度敏感度:J-STD-020的1級

                                •端子:表面處理 - 鎳引線框架上的NiPdAu。焊

                                按照MIL-STD-202,方法208

                                •重量:0.003克(近似值)

                                應用

                                •MOSFET和IGBT柵極驅動

                                •DC-DC轉換

                                •低壓IC和負載之間的接口

                                •LED驅動

                                產品狀態標記卷軸尺寸(英寸)膠帶寬度(mm)每卷數量

                                ZXTN26020DMFTA Active Z1 7 8 3000

                                最高評級

                                特征符號值單位

                                集電極 - 基極電壓VCBO 20 V.

                                集電極 - 發射極電壓VCEO 20 V.

                                發射極 - 基極電壓VEBO 7 V.

                                連續集電極電流(注4)IC 1.5 A

                                峰值脈沖電流ICM 4 A.

                                基極電流IB 0.5 A.

                                熱特性

                                特征符號值單位

                                功耗(注3)PD 1 W.

                                功耗(注4)PD 380 mW

                                熱阻,連接到環境(注3)@TA = 25°CRθJA125°C / W.

                                熱阻,與環境的連接(注3)@TA = 25°CRθJA330°C / W.

                                工作和存儲溫度范圍TJ,TSTG -55至+ 150°C

                                封裝外形尺寸

                                建議的墊布局

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